IoTの普及、脱炭素社会実現に向けた需要増を背景に、2030年のパワー半導体世界市場規模は369億8,000万ドルまで拡大すると予測
~SiCパワー半導体は新エネルギー機器、EV向けの需要がけん引し、2030年の同世界市場規模は64億5,000万ドルに成長見通し~
1.市場概況
2021年におけるパワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は前年比20.1%増の223億7,000万ドルであった。ここ数年横ばいで推移していた市場は、2021年第2四半期からパワー半導体メーカで受注が積みあがり、後半から増加基調に転じて通年で二桁のプラス成長となった。
2022年はパワー半導体メーカへの受注は好調であったが、半導体製造用の材料や装置、パワーエレクトロニクスに必要な部品の需給が逼迫し、パワーモジュール用の部材調達も厳しい状況が続いたため、2022年のパワー半導体の世界市場は前年比6.8%増の238億9,000万ドルにとどまる見込みである。
2023年は、民生用の白物家電、新エネルギー向け産業機器、xEV向けパワー半導体の需要が拡大しており、特に太陽光発電や風力発電システム、HV(ハイブリッド車)やEV(電気自動車)のコンバータ/インバータで使われるパワーモジュールの高い伸びが期待できる。そうしたことから、2023年のパワー半導体の世界市場は前年比8.0%増の258億1,000万ドルになると予測する。
2.注目トピック
2022年のSiCパワー半導体の世界市場規模は14億6,000万ドルの見込み
2022年のSiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は前年比13.2%増の14億6,000万ドルの見込みである。優れた特性を持つSiCパワー半導体は、データセンター向けサーバーや5G基地局、太陽光発電用PCS(パワーコンディショナー)、産業機器向け補助電源、EV用OBC(車載用充電器)やコンバータなどの補機類で使われており、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)だけでなくSiC-MOSFETの採用も進んでいる。
なお、2020年から大きく伸長しているのが、xEV用SiCパワー半導体である。これまではコスト面からEV用OBCが中心であったが、EV向け主機モータ駆動用インバータへの採用が伸びている。そのため、2025年のSiCパワー半導体の世界市場は29億2,000万ドルに拡大すると予測する。
3.将来展望
2030年のパワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は369億8,000万ドルに拡大すると予測する。2024年以降もIoT(Internet of Things)の普及拡大、脱炭素社会実現に向けて、情報通信や民生、産業、自動車の各分野でパワー半導体の需要は堅調に推移する見込みである。特に、自動車分野は2026年~2028年頃に向けてEV(電動化)、ADAS/AD(先進運転支援システム/自動運転)、E/Eアーキテクチャ(統合ECU化による集中制御、車両におけるECUやセンサ、アクチュエータの設計・構成)、IVI(次世代車載情報通信システム)、コネクテッドカーの開発が同時に進んでおり、クルマ一台あたりのパワー半導体搭載金額が急激に増加する見通しである。
SiCパワー半導体では、パワー半導体メーカ各社の設備投資が活発化しており、各国による次世代半導体政策が強化されるため、供給量は増加して搭載用途も広がる見込みである。SiCパワー半導体市場をけん引するのは、新エネルギー(太陽光/風力発電)機器やEV用インバータ向けSiCパワーモジュールであり、特に2026年~2027年頃に投入される新型EVにおいてSiCを適用したインバータの採用が進む見込みであり、バッテリ容量が大きく800V給電システムを採用するハイエンドEV(高級・大型EV)向けの需要が伸長する見通しである。2030年のSiCパワー半導体の世界市場は、パワー半導体世界市場の17.4%を占める64億5,000万ドルに成長すると予測する。
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調査要綱
2.調査対象: パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ
3.調査方法: 当社専門研究員による直接面談(オンライン含む)、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
<パワー半導体とは>
パワー半導体とは、主にインバータ / コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体デバイスである。
本調査では、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)/IPD(Intelligent Power Device)や、ダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC(シリコンカーバイド)を使ったパワー半導体等を対象とした。
<市場に含まれる商品・サービス>
MOSFET、IPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC / GaNパワー半導体
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