誘電体薄膜デバイス市場
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調査資料詳細データ
調査期間：2013年10月 ※当レポートは左記の期間に調査を実施した商品です
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半導体における必須アイテムとしての増加が見込まれる
【調査要領】
（１）調査主旨と方法
本レポートは誘電体薄膜デバイス市場の概要を捉えることを目的とした。
主要プレーヤーへの電話ヒアリング（2社）を主体に文献、ウェブ調査を併用した。
（２）調査期間
2013年8月26日～9月25日（Yano E plus 2013年10月号再編集）
（３）企画・制作
エネルギー＆機械産業グループ
【収録内容】
1．誘電体とは
2．誘電体薄膜デバイスの種類
3．誘電体薄膜デバイスの種類別応用動向
3-1．強誘電体メモリ素子（FeRAM）
【図1．FeRAMの原理を示した模式図】
3-2．高誘電率（High-k）ゲート膜
【図2．High-kゲート膜の模式図】
3-3．低誘電率（Low-k）層間絶縁膜
【図3．Low-k層間絶縁膜の模式図】
【図4．90nm、65nm世代における多層配線構造の概略】
4．誘電体薄膜デバイスの市場規模推移と予測
【図・表1．誘電体薄膜デバイスの国内市場規模推移と予測（金額：2010-2015年予測）】
【図・表2．誘電体薄膜デバイスのWW 市場規模推移と予測（金額：2010-2015年予測）】
【図・表3．誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場規模推移と予測（金額：2010-2015年予測）】
5．誘電体薄膜デバイスの企業シェア
【図・表4．誘電体薄膜デバイスの国内市場全体における企業シェア（2012年・全体）】
【図・表5．誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア2012年、Low-k層間絶縁膜）】
【図・表6．誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア（2012年、High-kゲート膜）】
【図・表7．誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア（2012年、強誘電体メモリ）】
6．誘電体薄膜デバイスの主要取組企業の動向
6-1．株式会社アルバック
6-2．日立化成株式会社
6-3．富士通株式会社
6-4．株式会社ADEKA
6-5．JSR株式会社
7．誘電体薄膜デバイスの今後の見通し
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