次世代パワー半導体用接合技術の動向（2017年12月調査）
発刊日
2018/04/13
体裁
B5 / 27頁
資料コード
R60200202
PDFサイズ
3.0MB
PDFの基本仕様
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カテゴリ
調査資料詳細データ
調査概要
本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2018年1月号 に掲載されたものです。
リサーチ内容
～SiCやGaNなど、次世代パワー半導体の動作に欠かせないキーテクノロジーに！～
1．パワー半導体の新たな胎動と課題
2．次世代パワー半導体に不可欠なマイクロ接合技術
3．次世代パワー半導体用の個別接合技術
3-1．ナノテルミット反応接合法
3-2．Agナノ粒子接合法
3-3．表面活性化常温接合法
3-4．高耐食性貴金属フリーCu焼結接合法
4．代表的な次世代パワー半導体用接合材料
4-1．Au系
4-2．Ag系
4-3．Bi/Ag系
4-4．Sn/Cu系
4-5．Zn/Al系
4-6．Ni系
5．パワー半導体の市場規模推移と予測
【図・表1.パワー半導体の国内およびWW市場規模推移と予測（金額：2016-2021年予測）】
【図・表2.パワー半導体の種類別国内市場規模推移と予測（金額：2016-2021年予測）】
【図・表3.パワー半導体の需要分野別国内市場規模推移と予測（金額：2016-2021年予測）】
6．次世代パワー半導体用接合技術に係わる取組企業・団体の動向事例
6-1．国立大学法人大阪大学
6-2．国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）
【図1．高速・高温動作パワーモジュールの試作状況】
【図2．耐高温接合材料の俯瞰図】
6-3．株式会社ダイセル
【図3．「CELTOL®IA」を用いたGaN接合サンプル（左）と接合界面のSEM写真（右）】
6-4．田中貴金属工業株式会社
6-5．株式会社デンソー
6-6．株式会社ナプラ
6-7．日本アビオニクス株式会社
【図4．真空はんだ付け装置によるパワーデバイスのはんだ付け事例】
【図5．ファイバーレーザーを用いたパワーデバイスの端子溶接
6-8．国立研究開発法人物質・材料研究機構（NIMS）
【図6．表面間に中間層が残存しても150℃以下・低温でCu-Cu接合が達成された事例】
【図7． Vapor-assisted VUV 接合手法の模式図】
【図8． Vapor-Assisted VUV手法を用いた装置の模式図（左）と外観（右）】
6-9．三菱マテリアル株式会社
7．次世代パワー半導体用接合材料の将来展望
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