次世代先端デバイス動向(1)単原子層デバイス（2019年4月調査）
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調査資料詳細データ
本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2019年5月号 に掲載されたものです。
1．「次世代先端デバイス動向」シリーズを始めるにあたり
2．単原子層とは
3．代表的な単原子層とデバイス化
3-1．グラフェン
3-2．シリセン（Silicene）、ゲルマネン（Germanene）、
スタネン（Stanene）
3-3．遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）
4．単原子層デバイスの応用分野
4-1．電子デバイス
4-2．光デバイス
4-3．触媒
5．単原子層デバイスの市場規模予測
【図・表1．単原子層デバイスの国内およびWW市場規模予測
（金額：2020-2040年予測）】
【図・表2．単原子層デバイスの応用分野別WW市場規模予測
（金額：2020-2040年予測）】
6．単原子層デバイスに関連する企業・研究機関の取組動向
6-1．国立大学法人岡山大学
6-2．国立大学法人京都大学
【図1．単層TMDC上の励起子の模式図】
6-3．国立大学法人神戸大学
6-4．国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）
6-5．公立大学法人首都大学東京
【図2．典型的なTMDC原子層の模式図】
【図3．TMDC製造プロセスの模式図】
6-6．国立大学法人筑波大学
【図4．液体GaとアモルファスCの固液界面で
グラフェンが形成される模式図】
6-7．国立大学法人東京工業大学
【図5．研究アプローチの仕方を示した模式図】
【図6．界面制御による新規デバイスの創製の模式図】
【図7．メモリーデバイスの模式図】
6-8．国立大学法人東京大学
6-9．国立大学法人東北大学
6-10．国立研究開発法人物質・材料研究機構（NIMS）
6-11．国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学（JAIST）
【図8．（a）作製した2層グラフェンNEMSセンサーの構造、
（b）斜めグラフェン梁の模式図、
（c）実際に作製した素子のAFM写真】
【図9．斜め2層グラフェン梁の表面に物理吸着するCO2分子の様子
（左）2層グラフェン表面付近での静電ポテンシャル分布（右上）
基板電界をオフにした場合、CO2分子が離れていく軌跡（右下）】
6-12．国立研究開発法人理化学研究所
7．単原子層デバイスの将来展望
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