高密度LSIの最新動向（2020年1月調査）

発刊日

2020/12/15

体裁

B5 / 27頁

資料コード

R62201002

PDFサイズ

3.8MB

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調査概要

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本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2020年2月号に掲載されたものです。

リサーチ内容

1．半導体はどこまで微細化するのか
2．高密度LSIプロセスの現在の主流
　　2-1．FinFET
　　2-2．FD-SOI
3．高密度LSIの市場規模推移と予測
　　【図・表1．高密度LSIのWW市場規模推移と予測
　　（2018-2023年予測）】
　　【図・表2．高密度LSIのタイプ別WW市場規模推移と予測
　　（2018-2023年予測）】
4．高密度LSIの市場シェア
　　【図・表3．高密度LSIのWW市場における企業シェア（2018年）】
5．高密度LSIに関する企業・研究機関の取組動向
　　5-1．国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）
　　　　(1)高品質Geプラットフォーム基板の研究
　　　　【図1．微細加工した高品質Ge単結晶パターンのトランスファー】
　　　　(2)遷移金属ダイカルコゲナイドMOSFETの研究
　　　　【図2．単原子層カルコゲナイドを用いた
　　　　多機能搭載3次元LSI集積化技術の模式図】
　　　　(3)シリコンLSIの微細化限界を打破する
　　　　モノリシック3次元集積化技術
　　　　【図3．モノリシック3次元集積概念図】
　　　　【図4．（上）InGaAs,　（下）SiGe 積層例
　　　　（FIRSTプログラム, GNC）】
　　5-2．学校法人湘南工科大学
　　　　【図5．Fe-FETを用いた積層型ロジック回路の構成】
　　　　【図6．2入力1出力のLUT回路の構成】
　　5-3．国立大学法人東京工業大学
　　　　【図7．マイクロバンプタイプとバンプレスタイプの
　　　　断面構造の比較図】
　　　　【図8．マイクロバンプタイプとバンプレスタイプの
　　　　温度上昇の比較グラフ】
　　5-4．GlobalFoundries（GF）〔米国〕
　　5-5．International Business Machines Corporation（IBM）〔米国〕
　　5-6．Intel Corporation〔米国〕
　　5-7．NXP Semiconductors N.V.（NXP）〔オランダ〕
　　5-8．Soitec S.A.〔フランス〕
　　5-9．STMicroelectronics NV（ST）〔オランダ〕
　　5-10．Synopsys International Ltd.（Synopsys）〔米国〕
　　5-11．Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
　　　　（TSMC）〔台湾〕
6．FinFETとFD-SOIの先にあるもの